使用于半导体6英寸和8英寸机台,可容纳小直径晶圆的。在半导体CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。我们可以为客户提供各种尺寸的定制晶圆载盘,以满足客户不同的应用需求。
6英寸转2英寸
6inch Si Wafer with 4 of 2inch Pocket
- 硅片尺寸: 6英寸
Wafer Size: 6 inch
- 硅片直径: 150+/-.2mm
Wafer Diameter: 200+/-.2mm
- 硅片厚度: 675+/-20um
Wafer Thickness: 675+/-20um
- 加工尺寸: 2英寸
Pocket Size: 2 inch
- 加工深度: 250um
Pocket Depth: 250um
8英寸转3英寸
8inch Si Wafer with 3inch Pocket
- 硅片尺寸: 8英寸 ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
Wafer Size: 8 inch ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
- 硅片直径: 200+/-.2mm
Wafer Diameter: 200+/-.2mm
- 硅片厚度: 725+/-20um
Wafer Thickness: 725+/-20um
- 加工尺寸: 3英寸
Pocket Size: 3 inch
- 加工深度: 250um
Pocket Depth: 250um
除了外,本公司可以根据应用和使用环境选择材料,例如99.6%的氧化铝,碳化硅和氧化锆。
如果您有研究开发用,少量多种类生产等需求,欢迎随时来我公司咨询。
使用于半导体6英寸和8英寸机台,可容纳小直径晶圆的。在半导体CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。我们可以为客户提供各种尺寸的定制晶圆载盘,以满足客户不同的应用需求。
6英寸转2英寸
6inch Si Wafer with 4 of 2inch Pocket
- 硅片尺寸: 6英寸
Wafer Size: 6 inch
- 硅片直径: 150+/-.2mm
Wafer Diameter: 200+/-.2mm
- 硅片厚度: 675+/-20um
Wafer Thickness: 675+/-20um
- 加工尺寸: 2英寸
Pocket Size: 2 inch
- 加工深度: 250um
Pocket Depth: 250um
8英寸转3英寸
8inch Si Wafer with 3inch Pocket
- 硅片尺寸: 8英寸 ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
Wafer Size: 8 inch ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
- 硅片直径: 200+/-.2mm
Wafer Diameter: 200+/-.2mm
- 硅片厚度: 725+/-20um
Wafer Thickness: 725+/-20um
- 加工尺寸: 3英寸
Pocket Size: 3 inch
- 加工深度: 250um
Pocket Depth: 250um
除了外,本公司可以根据应用和使用环境选择材料,例如99.6%的氧化铝,碳化硅和氧化锆。
如果您有研究开发用,少量多种类生产等需求,欢迎随时来我公司咨询。