使用于半导体8英寸机台,可容纳4英寸的。在半导体CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。
我们可以为客户提供各种尺寸的定制晶圆载盘,以满足客户不同的应用需求。
8英寸转4英寸
8inch Si Wafer with 4inch Pocket
- 硅片尺寸: 8英寸 ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
Wafer Size: 8 inch ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
- 硅片直径: 200+/-.2mm
Wafer Diameter: 200+/-.2mm
- 硅片厚度: 725+/-20um
Wafer Thickness: 725+/-20um
- 加工尺寸: 4英寸
Pocket Size: 4 inch
- 加工深度: 250um
Pocket Depth: 250um
*可选择加工定位边长:34.5mm
*Optional Orientation Flat Length: 34.5
除了外,本公司可以根据应用和使用环境选择材料,例如99.6%的氧化铝,碳化硅和氧化锆。
如果您有研究开发用,少量多种类生产等需求,欢迎随时来我公司咨询。
使用于半导体8英寸机台,可容纳4英寸的。在半导体CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。
我们可以为客户提供各种尺寸的定制晶圆载盘,以满足客户不同的应用需求。
8英寸转4英寸
8inch Si Wafer with 4inch Pocket
- 硅片尺寸: 8英寸 ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
Wafer Size: 8 inch ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )
- 硅片直径: 200+/-.2mm
Wafer Diameter: 200+/-.2mm
- 硅片厚度: 725+/-20um
Wafer Thickness: 725+/-20um
- 加工尺寸: 4英寸
Pocket Size: 4 inch
- 加工深度: 250um
Pocket Depth: 250um
*可选择加工定位边长:34.5mm
*Optional Orientation Flat Length: 34.5
除了外,本公司可以根据应用和使用环境选择材料,例如99.6%的氧化铝,碳化硅和氧化锆。
如果您有研究开发用,少量多种类生产等需求,欢迎随时来我公司咨询。