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8英寸转4英寸

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  • 使用于半导体8英寸机台,可容纳4英寸的晶圆托盘在半导体CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。

    我们可以为客户提供各种尺寸的定制晶圆载盘,以满足客户不同的应用需求。


    8英寸转4英寸

    8inch Si Wafer with 4inch Pocket


    硅片尺寸: 8英寸 ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )

       Wafer Size: 8 inch ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )

    硅片直径: 200+/-.2mm

       Wafer Diameter: 200+/-.2mm

    硅片厚度: 725+/-20um

       Wafer Thickness: 725+/-20um

    加工尺寸: 4英寸

       Pocket Size: 4 inch

    加工深度: 250um  

        Pocket Depth: 250um


    *可选择加工定位边长:34.5mm

    *Optional Orientation Flat Length: 34.5


    除了硅片承载盘外,本公司可以根据应用和使用环境选择材料,例如99.6%的氧化铝,碳化硅和氧化锆。

    如果您有研究开发用,少量多种类生产等需求,欢迎随时来我公司咨询。




    使用于半导体8英寸机台,可容纳4英寸的晶圆托盘在半导体CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。

    我们可以为客户提供各种尺寸的定制晶圆载盘,以满足客户不同的应用需求。


    8英寸转4英寸

    8inch Si Wafer with 4inch Pocket


    硅片尺寸: 8英寸 ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )

       Wafer Size: 8 inch ( P+ Doped,<100>,2.5ohm/cm )

    硅片直径: 200+/-.2mm

       Wafer Diameter: 200+/-.2mm

    硅片厚度: 725+/-20um

       Wafer Thickness: 725+/-20um

    加工尺寸: 4英寸

       Pocket Size: 4 inch

    加工深度: 250um  

        Pocket Depth: 250um


    *可选择加工定位边长:34.5mm

    *Optional Orientation Flat Length: 34.5


    除了硅片承载盘外,本公司可以根据应用和使用环境选择材料,例如99.6%的氧化铝,碳化硅和氧化锆。

    如果您有研究开发用,少量多种类生产等需求,欢迎随时来我公司咨询。